Semi-conductor apparatus and its producing method

半导体装置及其制造方法

Abstract

本发明的目的是在多层布线结构的半导体装置中降低从层间绝缘膜加到金属布线上的应力,从而防止接触孔内的金属隆起。在作为基底的层间绝缘膜7的表面上形成金属布线2,对应力值高的TEOS氧化膜5、SOG膜3和应力值低的TEOS氧化膜6进行层叠,将其作为层间绝缘膜。其后,形成接触孔4。

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (5)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    CN-100514595-CJuly 15, 2009海力士半导体有限公司在半导体器件中形成接触的方法
    CN-102403265-AApril 04, 2012北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司一种半导体器件通孔的形成方法
    CN-102856277-AJanuary 02, 2013中芯国际集成电路制造(上海)有限公司Graphene conductive plug and formation method thereof
    CN-104810277-AJuly 29, 2015北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司Wafer surface flattening process
    CN-1315188-CMay 09, 2007夏普株式会社半导体集成电路装置