Photoelectric element with specific doped layer

有特定掺杂层的光电元件

Abstract

有半导体结结构的光电元件,其特征是,所述半导体结结构有含元素周期表中Ⅳ族元素中的一种或一种以上元素的主要组分的非单晶材料构成的P型或n型掺杂层,所述掺杂层中有周期性分布的作为掺杂层主要组分的Ⅳ族元素的浓度减小的多个区域。所述半导体结结构有至少是由微晶半导体材料构成的基本上是本征型的半导体层。

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